本书以半导体物理理论为基础，注重阐述模拟电路技术和BiCMOS技术，注重物理概念的诠释，强调模拟电路的分离和和集成设计。全书主要内容有：PN结二极管、双极结型晶体管、MOS场效应晶体管、模拟集成电路构建、模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声。

本书是针对电子工程专业且致力于将模拟电子学作为自身事业的学生和集成电路设计工程师而准备的，前三章介绍二极管、双极型晶体管和MOS场效应管，注重较为传统的分立电路设计方法，有助于学生通过物理洞察力来掌握电路基础知识；后续章节介绍模拟集成电路子模块、典型模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声等集成电路内部工作原理（以优化其应用）。本书涵盖的分立与集成电路设计内容，有助于培养读者的芯片设计能力和电路板设计能力。

本书特色
涵盖双极型和CMOS工艺。数字电子技术中CMOS工艺占主导地位，模拟电子技术则同时采用CMOS和双极型工艺，而后者是BiCMOS工艺的基本组成部分和高质量模拟芯片的工艺选择。
涵盖分立和集成电路设计。当前模拟系统的终极形式依然是集成电路化，而测试和应用常需要诸如ad-hoc分立设计的辅助功能来实现调节和接口功能。在众多的应用选择中，双极型晶体管（BJT）仍是使用广泛且可满足各种需求的分立器件。
涵盖深度半导体理论知识。模拟功能总是植根于物理现象，模拟工程师，特别是集成电路设计工程师和产品/工艺/可靠性工程师，需要精通半导体物理知识以优化电路功能。

作者简介
Sergio Franco? 出生在意大利，1980年开始在美国旧金山州立大学电气工程系授课，期间获得了伊利诺伊大学香槟分校博士学位，成为该系荣誉教授。在就任现职之前，Franco博士拥有广泛的行业经验，在诸如固态物理学、模式识别、集成电路（IC）设计、医学电子、日用电子和汽车电子等领域工作过，发表论文颇丰，Franco博士还是《Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits》（McGraw-Hill Education，2014）和《Electric Ciruit Fundamentals》（Oxford University Press，1995）两本教科书的作者。

模拟电路设计

本书是针对电子工程专业且致力于将模拟电子学为自身事业的学生和集成电路设计工程师而准备的，前三章包含二极管、双极型晶体管和MOS场效应管，着重较为传统的分立电路设计方法，培养学生通过直观感觉和物理洞察力来建立足够雄厚的电路基础知识；后续章节包括模拟集成电路子模块、典型模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声等集成电路内部工作原理（以优化其应用）；另外，还深入介绍了半导体理论，通过熟练掌握半导体物理知识保持电路在最佳状态运行。本书涵盖的分立与集成电路设计内容，可培养读者芯片设计能力和电路板设计能力。

本书特色
涵盖双极型和CMOS技术。尽管数字电子技术采用CMOS工艺为主，模拟电子技术则依赖于双极型和CMOS技术，双极型是BiCMOS技术的基本组成部分和高质量模拟电路的保障。
涵盖分立和集成设计。目前模拟系统基本都集成电路类型，而测试和应用常常需要诸如条件处理和接口辅助功能的分立设计来实现，晶体管是使用最广泛的可以满足各种需求的分立器件。
涵盖深度半导体的理论知识，以反映一个行业的执业工程师在日常需要。模拟功能总是植根于物理现象，模拟工程师特别是集成电路设计工程师和产品/工艺/可靠性工程师，需要精通半导体物理知识以使电路在最佳状态运行。

（美）Sergio Franco 著： SERGIO FRANCO出生在意大利，1980年开始在美国旧金山州立大学（San Francisco State University）电气工程系授课，期间获得了伊利诺伊大学香槟分校（University of Illinois at Urbana-Champaign）博士学位，成为该系荣誉教授。在就任现职之前，Franco博士拥有广泛的行业经验，在诸如固态物理学、模式识别、电子音乐、集成电路（IC）设计、医学电子、日用电子和汽车电子等领域工作过，发表论文颇丰，Franco博士还是Analog Circuit Design: Discrete & Integrated（McGraw-Hill Education,2014）和Electric Ciruit Fundamentals(Oxford University Press,1995)两本教科书的作者。

雷鑑铭　注释：暂无简介

Preface
Chapter 1 Diodes and the pn Junction
1.1 The Ideal Diode
1.2 Basic Diode Applications
1.3 Operational Amplifiers and Diode Applications
1.4 Semiconductors
1.5 The pn Junction in Equilibrium
1.6 Effect of ExternaI Bias on the SCL Parameters
1.7 Thepn Diode Equation
1.8 The Reverse.Biased pn Junction
1.9 FOrward.Biased Diode Characteristics
1.10 Dc Analysis ofpn Diode Circuits
1.11 Ac Analysis ofpn Diode Circuits
1.12 Breakdown-Region Operation
1.13 Dc Power Supplies
Appendix 1A：SPICE Models for Diodes
References
Prohiems
Chapter 2 Bipolar Junction Transistors
2.1 Physical Structure of the BJT
2.2 Basic BJT Operation
2.3 The f.v Characteristics 0f BJTs
2.4 Operating Regions and BJT Models
2.5 The BJT as an Amplifier／Switch
2.6 Small.Signal Operation of the BJT
2.7 BJT Biasing for Amplifier Design
2.8 Basic Bipolar Voltage Amplifiers
2.9 Bipolar Voltage and Current Buffers
Appendix 2A：SPICE Models for BJTs
References
Problems
Chapter 3 MOS Field-E竹ect Transistors
3.1 Physical Structure of the MOSFET
3.2 The Threshold Voltage V
3.3 The n-Channel Characteristic
3.4 The i-v Characteristics of MOSFETs
3.5 MoSFETs in Resistive Dc Circuits
3.6 The MOSFET as an Amplifier／Switch
3.7 Small-Signal Operation of the MOSFET
3.8 Basic MOSFET VOItage Amplifiers
3.9 MOSFET Voltage and Current BufierS
3.10 The CMoS Inverter／Amplifier
Appendix 3A：SPICE Models for MOSFETS
References
Problems
Chapter 4 Building Blocks for Analog Integrated Circuits
4.1 Design Considerations in Monolithic Circuits
4.2 BJT CharacteristiCS and Models Revisited
4.3 MoSFET CharacteristiCS and Models Revisited
4.4 Darlington，Cascode，and Cascade Configurations
4.5 Differential Pairs
4.6 Common-Mode Rejection Ratio in Differential Pairs
4.7 Input Offset Voltage／Current in Differential Pairs
4.8 Current Mirrors
4.9 Differentiai Pairs with Active Loads
4.10 Bipolar Output Stages
4.11 CMOS Output Stages
Appendix 4A：Editing SPICE Netlists
References
Problems
Chapter 5 Analog Integrated Circuits
5.1 The btA741 Operational Amplifer
5.2 The Two-Stage CMOS Operational Amplifier
5.3 The F10lded.Cascode CMOS Operational Amplifier
5.4 Voltage Comparators
5.5 Current and Voltage References
5.6 Current-Mode Integrated Circuits
5.7 Fully Differential Operational Amplifiers
5.8 Switched.Capacitor Circuits
Appendix 5A：SPICE Macro—Models
References
Problems
Chapter 6 Frequency and Time Responses
6.1 High-Frequency BJT Model
6.2 High-Frequency MOSFET Model
6.3 Frequency Response of CE／CS Amplifiers
6.4 Frequency Response of Differential Amplifiers
6.5 Bipolar Voltage and Current Buffers
6.6 MOS Voltage and Current BUffers
6.7 Open-Circuit Time-Constant (OCTC) Analvsis
6.8 Frequency Response of Cascode Amplifiers
6.9 Frequency and Transient Responses of OpAmps 629
6.10 Diode Switching Transients 639
6.11 BJT Switching Transients 644
6.12 Transient Response of CMOS Gates and Voltage Comparators
Appendix 6A：Transfer Functions and Bode
Plots
References
Problems
Chapter 7 Feedback，Stability,and Noise
7.1 Negative-Feedback Basics
7.2 Effect of Feedback on Distortion-Noise,and Bandwidth
7.3 Feedback Topologies and Closed-Loop I／O Resistances
7.4 Practical Configurations and the Effect of Loading
7.5 Return Ratio Analysis
7.6 Blackman’S Impedance Formula and Injection Methods
7.7 Stability in Negative-Feedback Circuils
7.8 Dominant-Pole Compensation
7.9 Frequency Compensation of Monolithic Op Amps
7.10 Noise
References
Problems
Index